E3Z-LS61电源芯片

深圳市伟格兴电子科技有限公司是一家大型集成电路代理,分销商,公司在深圳.作为的集成电路分销商，我公司拥有丰富经验的IC销售人员，为客户提供全面的服务支持。我公司主要从事美国ADI、MAXIM，TI，ON，ST，FAIRCHILD，ADI，NXP等世界**品牌的IC和功率模块 GTR、IGBT、IPM、PIM可控硅 整流桥 二极管等，涵盖通信、半导体、仪器仪表、**航空、计算机及周边产品、消费类电子等广泛领域。公司现货多，价格合理。经过我公司全体人员的共同努力， 深圳市伟格兴电子科技有限公司现已成为国有大、中型企业，**企业，中小型分销商的可靠合作伙伴，业务遍及中国大陆及海外市场。 我公司在国外拥有直接的货源和存货，与国际上享有良好声誉的大量供应商建立了良好的长期合作关系。定货渠道好，周期短，以‘交货快捷、质量保证、价格合理’为服务的宗旨，保证所提供货品均为原包装。 我公司一贯坚持：“品质、服务至上”的发展宗旨以向用户提供*系统 免费技术解决方案和满意的服务为己任。我们希望结交更多的合作伙伴，以合理的价格、*的服务，与大家共同开创广阔的未来！同时也希望与业界**进行广泛的交流与合作，共同为电子业繁荣发展作出自己的贡献！
b 器件高度集成的 独立 3.0A 开关模式电池充电管理和系统电源路径管理器件，适用于单节锂离子和锂聚合物电池。低阻抗电源路径对开关模式运行效率进行了优化、缩短了电池充电时间并延长了放电阶段的电池使用寿命。
b高度集成的独立3.0A 开关模式电池充电管理和系统电源路径管理器件，适用于单节锂离子和锂聚合物电池。该器件 可针对 各种独立充电器和便携式设备实现快速充电，并提供高输入电压支持。其低阻抗电源路径对开关模式运行效率进行了优化、缩短了电池充电时间并延长了放电阶段的电池使用寿命。其输入电压和电流调节可以为电池提供大的充电功率。该解决方案在系统和电池之间高度集成输入反向阻断场 FET（RBFET，Q1）、高侧开关 FET（HSFET，Q2）、低侧开关 FET（LSFET，Q3）以及电池 FET（BATFET、Q4）。它还集成了自举二极管以进行高侧栅较驱动，从而简化系统设计。
该器件支持多种输入源，包括标准 USB 主机端口、USB 充电端口以及兼容 USB 的高电压适配器。该器件根据内置 USB 接口设置默认输入电流限值。 该器件符合 USB 2.0 和 USB 3.0 电源规范，具有输入电流和电压调节功能。当器件内置 USB 接口确定输入适配器未知时，器件的输入电流限值由 ILIM 引脚设置电阻器值决定。 该器件还具有高达 1.2A 的很定电流限制能力，能够为 VBUS 提供 5.15V 的电压，符合 USB On-the-Go (OTG) 运行功率额定值规范。
电源路径管理将系统电压调节至稍**电池电压的水平，但是不会下降至 3.5V 小系统电压以下。借助于这个特性，即使在电池电量完全耗尽或者电池被拆除时，系统也能保持运行。当达到输入电流限值或电压限值时，电源路径管理自动将充电电流减少为 0。随着系统负载持续增加，电源路径在满足系统电源需求之前将电池放电。该补充模式可防止输入源过载。
此器件在*软件控制情况下启动并完成一个充电周期。它感应电池电压并通过三个阶段为电池充电：预充电、恒定电流和恒定电压。在充电周期的末尾，当充电电流低于预设限值并且电池电压**再充电阈值时，充电器自动终止。如果已完全充电的电池降至再充电阈值以下，则充电器自动启动另一个充电周期。
此充电器提供针对电池充电和系统运行的多种安全 功能 ，其中包括电池负温度系数热敏电阻监视、充电安全计时器以及过压和过流保护。当结温**过 110°C时，热调节会减小充电电流。STAT 输出报告充电状态和任何故障状况。其他安全 功能 包括针对充电和升压模式的电池温度感应、热调节和热关断以及输入 UVLO 和过压保护。
该器件系列采用 24 引脚 4mm x 4mm QFN 封装。

The TPS6213X family is an easy to use synchronous
step down DC-DC converter optimized for
applications with high power density. A high switching
frequency of typically 2.5MHz allows the use of small
inductors and provides fast transient response as well
as high output voltage accuracy by use of the DCSControl™
topology.
With their wide operating input voltage range of 3V to
17V, the devices are ideally suited for systems
powered from either a Li-Ion or other batteries as well
as from 12V intermediate power rails. It supports up
to 3A continuous output current at output voltages
between 0.9V and 6V (with ** duty cycle mode).
The output voltage startup ramp is controlled by the
soft-start pin, which allows operation as either a
standalone power supply or in tracking configurations.
Power sequencing is also possible by configuring the
Enable and open-drain Power Good pins.
In Power Save Mode, the devices draw quiescent
current of about 17μA from VIN. Power Save Mode,
entered automatically and seamlessly if load is small,
maintains high efficiency over the entire load range.
In Shutdown Mode, the device is turned off and
shutdown current consumption is less than 2μA.
The device, available in adjustable and fixed output
voltage versions, is packaged in a 16-pin VQFN
package measuring 3 × 3 mm (RGT)

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued)
VIN = 12 V, SUP = VIN, EN1 = EN2 = VIN, VS = 15 V, V(LOGIC) = 3.3 V, TA = –40°C to 85°C, typical values are at TA = 25°C
(unless otherwise noted)
PARAMETER TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT
CONTROL AND SOFT START DLY1, DLY2, SS
I(DLY1) Delay1 charge current 3.3 4.8 6.2 μA
I(DLY2) Delay2 charge current V(THRESHOLD) = 1.213 V 3.3 4.8 6.2 μA
ISS SS charge current 6 9 12 μA
INTERNAL OSCILLATOR
FREQ = high 600 750 900
fOSC Oscillator frequency kHz
FREQ = low 400 500 600
BOOST CONVERTER (VS)
VS Output voltage range(1) 19 V
V(FB) Feedback regulation voltage 1.136 1.146 1.156 V
I(FB) Feedback input bias current 10 100 nA
N-MOSFET on-resistance (Q1) I(SW) = 500 mA 100 185 mΩ
rDS(on) P-MOSFET on-resistance (Q2) I(SW) = 200 mA 10 16 Ω
IMAX Maximum P-MOSFET peak switch current 1 A
ILIM N-MOSFET switch current limit (Q1) TPS65161 2.8 3.5 4.2 A
ILIM N-MOSFET switch current limit (Q1) TPS65161A 3.7 4.6 5.5 A
Ilkg Switch leakage current V(SW) = 15 V 1 10 μA
OVP Overvoltage protection VOUT rising 19.5 20 21 V
10.6 V ≤ VIN ≤ 11.6 V
Line regulation 0.0008 %/V at 1 mA
Load regulation 0.03 %/A
GATE DRIVE (GD)
V(GD) Gate drive threshold(2) V(FB) rising VS-12% VS-8% VS-4% V
VOL GD output low voltage I(sink) = 500 μA 0.3 V
GD output leakage current V(GD) = 20 V 0.05 1 μA
STEP-DOWN CONVERTER (V(LOGIC))
V(LOGIC) Output voltage range 1.8 5 V
V(FBB) Feedback regulation voltage 1.195 1.213 1.231 V
I(FBB) Feedback input bias current 10 100 nA
rDS(on) N-MOSFET on-resistance (Q5) I(SW) = 500 mA 175 300 mΩ
ILIM N-MOSFET switch current limit (Q5) 2.5 3.2 3.9 A
Ilkg Switch leakage current V(SW) = 0 V 1 10 μA
10.6 V ≤ VIN ≤ 11.6 V
Line regulation 0.0018 %/V at 1 mA
Load regulation 0.037 %/A
(1) The maximum output voltage is limited by the overvoltage protection threshold and not be the maximum switch voltage rating.
(2) The GD ** is latched low when the main boost converter output VS is within regulation. The GD ** is reset when the input
voltage or enable of the boost converter is cycled low.
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8-V to 14.7-V Input Voltage Range • Short-Circuit Protection
• V • Overvoltage Protection S Output Voltage Range up to 19 V
• TPS65161 has a 2.8-A Switch Current Limit • Thermal Shutdown
• TPS65161A has a 3.7-A Switch Current Limit • Available in HTSSOP-28 Package
• TPS65161B has a 3.7-A Switch Current Limit APPLICATIONS and 100-mA Charge Pump Output Current
• 1.5% Accurate 2.3-A Step-Down Converter • TFT LCD Displays for Monitor and LCD TV
• 500-kHz/750-kHz Fixed Switching Frequency
• Negative Charge Pump Driver for VGL
• Positive Charge Pump Driver for VGH
• Adjustable Sequencing for VGL, VGH
• Gate Drive Signal to Drive External MOSFET
DESCRIPTION
The TPS65161 family offers a compact power supply solution to provide all four voltages required by thin-film
transistor (TFT) LCD panels. With their high current capabilities, the devices are ideal for large screen monitor
panels and LCD TV applications.
*深圳伟格兴电子，地处亚太深圳。诚信13年合作伙伴。原装质量保证。只做原装现货！
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