UAA3587GHNK1电源芯片

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AMC7932有32路（2组）12bit的双极性电压DAC，它输出非常灵活，可以输出两组正电压，两组负电压或者一组正电压一组负电压。因此可支持各类PA的检测和控制。 比如：用一组16路DAC对多个LDMOS PA进行偏置控制，同时用另一组16路DAC对多个GaN PA进行偏置。
结论
5G的Massive MIMO架构以及GaN PA普及使得基站内的天线通道数量急剧提升。对应的PA需求量更是爆发式增长。设备商们不得不采用复杂，高密度多功能的PA检测和控制技术。AMC7932的单片解决方案在使得PA检测和控制部分在电路板面积、系统可靠性和成本方面具有显著的优势。

可以看到晶体管的源漏电流Ids是栅源电压Vgs的函数，其中包含两项与温度相关参数：载流有效电子迁移率μ和阈值电压Vth。高的Vgs电压会导致高的Ids或高的功率放大器。Ids还取决于漏较电压，但是一般情况下会固定Vd的电压。工程师会使用优化后的Vd电压以获得所需的功率水平。 Vd值对于GaN FET，通常约为50 V；对于LDMOS FET，通常约为28V。

AMC7932器件对PA进行控制时，电流检测电阻器（Rsense）上的电压会被输入到AMC7932内部6路12bit的ADC的输入引脚。在内部将该电压转换为电流值。外部微控制器可以通过SPI或者I2C读取AMC7932内部的寄存器值得到电流值。也可以和AMC7932内部的可调门限值进行比较，快速的进行反应。

图是方程的图形表述形式。驱动一个小的RF输入信号，使其叠加到DC栅较电压上，从而产生AC漏较电流 。该AC电流围绕静态电流值 振荡。可利用MOSFET晶体管I-V曲线和负载线分析来找到相应的AC漏较电压 。
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