深圳市骊微电子科技有限公司
骊微电子代理的PN8235集成**低待机功耗原边控制器及800V智能高压启动模块,外驱功率DMOS,外部Rg可调。PN8235用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8235为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。
PN8368集成**低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8368为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC)小于30mW。在恒压模式,采用准谐振与多模式技术提高效率并消除音频噪声,使得系统满足6级能效标准。
PN8160通知QR+CCMECO-modeBurst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了**低的待机功耗,全电压范围下的较佳效率。频率调制技术和SoftDriver技术充分保证良好的EMI表现。
PN8366内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC)小于30mW。在恒压模式,采用准谐振与多模式技术提高效率并消除音频噪声,使得系统满足6级能效标准,可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率;在恒流模式,输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了较为全面的智能保护功能,包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。
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